Рассмотрены кинетические процессы в тройном полупроводниковом соединение GazIn1-zAs в условиях возникновения инициированной электронами ударной ионизации. Анализ работы диодов проводился с использованием метода Монте-Карло с учетом зависимости всех параметров полупроводника от координаты. Определены параметры ударной ионизации в однородных соединениях GazIn1-zAs в зависимости от содержания Ga и неоднородных структурах с различным законом его пространственного распределения и произведен их сравнительный анализ. Показано, что промежутки времени задержки развития ударной ионизации соответствуют частотам терагерцового диапазона, а ударную ионизацию в варизонных полупроводниках возможно использовать для получения генерации в этом диапазоне.

  Повний текст PDF - 350.021 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"