Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек

Слабый, К. Г.; Пащенко, А. Г.

Предложен перспективный элемент флэш-памяти, использующий в качестве ячейки хранения информации массив самоорганизованных квантовых точек, применяемых как промежуточный слой в структуре полевого транзистора с модулированным легированием. Описаны физические основы хранения информации в предлагаемом элементе памяти. Представлена схематическая структура изучаемого элемента на основе структуры GaAs/AlGaAs MODFET транзистора, а также его функционирование в режиме записи, чтения, стирания и хранения информации. Структуру слоя квантовых точек предлагается выращивать на основе принципа самосогласованного роста Странского-Крастанова. Цикл перезаписи в ячейке памяти на основе квантовой точки осуществляется изменением напряжения на затворе, так же, как и в традиционной флеш-памяти.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна