Наукова періодика України | Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна | ||
Berkutov I. B. The characteristic parameters of charge carriersin the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, A. I. Berkutova, O. A. Mironov // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2015. - Вип. 23. - С. 52-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2015_23_13 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Berkutov I. B. The characteristic parameters of charge carriersin the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. F. Komnik, Yu. A. Kolesnichenko, A. I. Berkutova, O. A. Mironov // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія : Фізика. - 2015. - Вип. 23. - С. 52-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKhIF_2015_23_13.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |