Наукова періодика України Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут"

Dvornikov О. V. 
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2017. - Вип. 71. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2017_71_9
Розглянуто вплив гамма-випромінювання радіонукліда 60Co на найбільш важливі для аналогових мікросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторів техпроцесу SGB25V: напруга на прямозміщеному емітерному переході, залежність статичного коефіцієнта передачі струму бази в схемі із спільним емітером (СЕ) від емітерного струму, вихідна характеристика в схемі з СЕ.
  Повний текст PDF - 618.004 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Dvornikov О.
  • Dziatlau V.
  • Prokopenko N.
  • Tchekhovski V.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Dvornikov О. V. The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors / О. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, V. А. Tchekhovski // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2017. - Вип. 71. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_rr_2017_71_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського