На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами <$E40~times~10 sup -6> м, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал - діелектрик (<$E rho sub 300К~=~0,94~-~1,68~times~10 sup -4 ~roman {Ом~cdot~м}>) у температурному інтервалі 4,2 - 70 К, частотному діапазоні 0,01 - <$E250~times~10 sup 3> Гц виявлено, що імпеданс зразків залежно від температури має ємнісний (4,2 К - 20 К) та індуктивний (30 - 70 К) характер, величина якого залежить від концентрації легуючої домішки. На основі досліджень кристалів за допомогою методу імпедансної спектроскопії обговорено відмінність поведінки імпендансу зразків з різною концентрацією легуючої домішки.

  Повний текст PDF - 534.417 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"