Зазначено, що основним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам'яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, - сімейство Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи - розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO₃, нанесених на кремнієву підкладку, як реєструвальних середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам'яті. Запропоновано методику формування та вимірювання плівок PbTiO₃, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показано можливість використання одержаних плівок як реєструвальних середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.

  Повний текст PDF - 388.964 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"