Исследована возможность выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии структур с квантовыми ямами с двумя активными областями, каждая из которых обладает чувствительностью в заданной области спектра. Проведен анализ технологических процессов, достоинств и недостатков таких методов как МОС-гидридная эпитаксия и молекулярно-лучевая эпитаксия. Проведен анализ приемников, осуществляющих прием слабых сигналов в двух спектральных областях ИК-спектра. Результаты работы можно применить в ходе разработки монолитных двухспектральных фотоприемников, которые представляют особый интерес в сфере радиообнаружения и дальнометрии.

  Повний текст PDF - 376.135 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"