Модификация свойств полупроводникового соединения CdS при облучении ионами неона

Ленков, С. В.; Мокрицкий, В. А.; Гаркавенко, А. С.


	Наукова періодика України		Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Ленков С. В.
Модификация свойств полупроводникового соединения CdS при облучении ионами неона / С. В. Ленков, В. А. Мокрицкий, А. С. Гаркавенко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - 2010. - Вип. 24-25. - С. 18-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_vsn_2010_24-25_7

Повний текст PDF - 2.023 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Ленков С.

Мокрицкий В.

Гаркавенко А.

Бібліографічний опис для цитування:

Ленков С. В. Модификация свойств полупроводникового соединения CdS при облучении ионами неона / С. В. Ленков, В. А. Мокрицкий, А. С. Гаркавенко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - 2010. - Вип. 24-25. - С. 18-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_vsn_2010_24-25_7.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача