Запропоновано модель кристалізації лазерної ванни, в якій розглядаються конкуруючі механізми росту матричних кристалів від границі оплавлення (g-механізм) та утворення нових кристалів в рідкій частині об'єму (ng-механізм), а також враховується ефект викривлення форми та розмірів ng-кристалів внаслідок їх взаємодії з фронтом g-кристалів, що рухається, та вільною поверхнею оплавленої зони. Одержано кінетичні рівняння, які надають змогу визначити відносні внески xg та xng двох механізмів перетворення в загальну частку x закристалізованого об'єму. Показано, що максимальне зниження об'ємної частки ng-кристалів за рахунок їх блокування граничними поверхнями складає 0,42.

  Повний текст PDF - 335.601 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"