За допомогою методу скануючої тунельної мікроскопії та спектроскопії досліджено структуру поверхні Si(001), вкритої тонким шаром хрому. Показано, що за кімнатної температури плівка хрому на поверхні кремнію має острівцеву структуру. Провідність острівців має металевий характер, на відміну від вільних ділянок, де поверхня має напівпровідникові властивості з шириною забороненої зони 0,65 еВ. Прогрів поверхні до <$E400~symbol Р roman C> призводить до зростання розмірів острівців в 2 - 3 рази, при цьому поверхня набуває властивостей напівпровідника з шириною забороненої зони 0,35 еВ, що відповідає параметрам силіциду CrSi2.

  Повний текст PDF - 342.662 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"