Побудовано теоретичну модель формування фотоелектричного відгуку від p-n переходу під час сканування площини його перерізу двома лазерними променями. Вказано фізичні ефекти, що надають внески у фазу фотовідповідного сигналу. Проведено експериментальні дослідження випромінюючої ділянки лазерних діодів за методом диференційно-фазового фотоелектричного відгуку. Одержано експериментальні залежності фази фотовідгуку від координати скануючих променів. Проаналізовано можливості методу диференційно-фазового фотоелектричного відгуку для дослідження напівпровідникових структур з p-n переходом у разі сканування переходу в поперечному напрямку.

  Повний текст PDF - 482.455 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"