Зміна дефектної наноструктури та релаксаційні процеси в SiO2 + Si, GeSi

Онанко, А. П.


	Наукова періодика України		Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Онанко А. П.
Зміна дефектної наноструктури та релаксаційні процеси в SiO2 + Si, GeSi / А. П. Онанко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2013. - Вип. 1. - С. 313-316. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2013_1_59

Виміряно щільність дислокацій і глибина зруйнованого шару для SiO2 + Si, Si підкладок. Розглянуто кристал GeSi з орієнтацією [111], до якого діє періодична механічна напруга, і який підпадає під комбінований вплив зовнішнього електричного поля і магнітного поля.

Повний текст PDF - 587.809 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Онанко А.

Бібліографічний опис для цитування:

Онанко А. П. Зміна дефектної наноструктури та релаксаційні процеси в SiO2 + Si, GeSi / А. П. Онанко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2013. - Вип. 1. - С. 313-316. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2013_1_59.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Онанко Анатолій Петрович (1955–) (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача