| Наукова періодика України |
| Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка |
Pud S. Influence of the electrolyte on transport characteristics of ion-sensitive silicon nanowire field effect transistors / S. Pud, M. Petrychuk, V. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка. - 2013. - Вип. 2. - С. 32-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Rte_2013_2_11 Досліджено вплив електроліту на електрофізичні властивості іонно-чутливих польових транзисторів на базі кремнієвих нанониток за допомогою шумової спектроскопії. Занурення польового транзистора на базі кремнієвих нанониток в розчин електроліту призводить до зсуву пороговоі напруги транзистора завдяки зміні потенціалу верхнього шару діелектрику. Також іони електроліту екранують вплив пасток верхнього шару діелектрику на транспорт в каналі транзистора. Для виключення контактних ефектів і підтвердження достовірності екперименту проведено вимірювання транзисторів з різною довжиною каналу. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Pud S. Influence of the electrolyte on transport characteristics of ion-sensitive silicon nanowire field effect transistors / S. Pud, M. Petrychuk, V. Kovalenko // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка. - 2013. - Вип. 2. - С. 32-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Rte_2013_2_11.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
