За допомогою методів теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів, використовуючи авторський програмний комплекс, розраховано просторові розподіли густини валентних електронів, густину електронних станів, ширину забороненої зони, валентної зони та значення зарядів в околі ядра атомів для модельних композитних структур на основі наноцелюлози під механічним впливом. Встановлено, що електронні властивості структур на основі наноцелюлози можна регулювати, наприклад, шляхом змін відстаней між шарами композитних компонентів за механічного впливу.

  Повний текст PDF - 1.153 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"