Розроблено технологію квазізамкненого простору для осадження шарів CdS та CdTe з подальшим виготовленням сонячних елементів (СЕ). Досліджено та проаналізовано технологічні чинники, від яких залежить структура кристалічної гратки, ширина оптичної забороненої зони та провідність CdS та CdTe. Запропоновано технологію виготовлення омічного контакту до p-CdTe на основі виродженого напівпровідника CuxS. Проаналізовано характеристики СЕ, виготовлених на підкладках з різними провідними плівками (Mo, ZnO, ZnO : Al). Результати обробки світлових та темнових вольт-амперних характеристик показують перевагу ZnO та ZnO : Al плівок, одержаних за допомогою методу атомного пошарового осадження, для застосування в СЕ. Визначено товщини шарів CdS (d = 67 нм), CdTe (~1 мкм) та CuxS (30 нм), за яких було одержано кращу ефективність (<$Eeta~=~1,75~-~1,89~%>) та показано, що використання тонких плівок в структурі СЕ покращує їх характеристики.

  Повний текст PDF - 740.872 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"