Наукова періодика України Ukrainian journal of physics

Kras’ko M. M. 
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing / M. M. Kras’ko, A. G. Kolosiuk, V. V. Voitovych, V. Yu. Povarchuk, I. S. Roguts'kyi // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 12. - С. 1095-1104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_12_9
  Повний текст PDF - 1.142 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kras’ko M.
  • Kolosiuk A.
  • Voitovych V.
  • Povarchuk V.
  • Roguts'kyi I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Kras’ko M. M. Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing / M. M. Kras’ko, A. G. Kolosiuk, V. V. Voitovych, V. Yu. Povarchuk, I. S. Roguts'kyi // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 12. - С. 1095-1104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_12_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського