Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon

Zainabidinov, S.; Mamatkarimov, O. O.; Khimmatkulov, O.; Tursunov, I. G.

Zainabidinov S.
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 11. - С. 957-960. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_11_7

Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих і термічно оброблених зразках Si: Zn і Si: Zn, Mn за одновісного пружного стискування. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв за стиску навколо кристалографічної осі [111] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів.

Повний текст PDF - 509.339 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Zainabidinov S. Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon / S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 11. - С. 957-960. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_11_7.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics