Наукова періодика України Ukrainian journal of physics


Vainberg V. V. 
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_7_11
Приведено та проаналізовано результати дослідження електричного на магнітного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами і домішковими дельташарами в прилеглих бар'єрах. Додатний магнітоопір і вигляд залежності рухливості носіїв від концентрації домішки в дельта шарах, за низьких температур (Т << 20 К), пов'язуються з транспортом носіїв по двох паралельних каналах з різною рухливістю носіїв: структурним і утвореними дельта-шарами домішки квантовим ямам. Нелінійна залежність струму від величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподілом носіїв між цими каналами.
  Повний текст PDF - 619.737 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Vainberg V.
  • Pylypchuk A.
  • Poroshin V.
  • Sarbey O.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Vainberg V. V. Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_7_11.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського