Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique

Najafov, B. A.; Dadashova, V. V.


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics

Najafov B. A.
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique / B. A. Najafov, V. V. Dadashova // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 10. - С. 959-966. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_10_5

Повний текст PDF - 1.036 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Najafov B.

Dadashova V.

Бібліографічний опис для цитування:

Najafov B. A. Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0÷1) films produced by plasma chemical deposition technique / B. A. Najafov, V. V. Dadashova // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 10. - С. 959-966. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_10_5.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача