Надано результати систематичних досліджень структурних, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур <$E n- {roman Cd} sub x {roman Hg> sub 1-x roman {Te "/" CdZnTe}> (x ~ 0,223) до та після опромінення іонами B<^>+ і Ag<^>+ (100 кeВ, доза імплантації <$E Q~=~3~cdot~10 sup 13> см<^>-2). Здійснено математичне моделювання процесу іонної імплантації із застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результаті опромінення на поверхні досліджуваних зразків відбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневій області - шару з відмінними від матриці оптичними характеристиками. В результаті імплантації епітаксійних шарів CdxHg1-xTe іонами бору та срібла з однаковою енергією та дозою утворюється суттєво відмінний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механічними напруженнями, що відрізняються на 2 порядки величини. Одержано значення коефіцієнта стискання <$E beta> кристалічної гратки та механічних напружень <$E sigma sub maks> в області радіаційного розупорядкування твердого розчину. Обговорено роль механічних напружень легованого шару у перерозподілі дефектів і формуванні постімплантаційних властивостей Cd0,223Hg0,777Te.