Наведено результати дослідження впливу рекомбінаційних експоненціально розподілених поверхневих центрів на процеси поверхневої рекомбінації та характеристики кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Під час розрахунках вважалося, що система акцепторних поверхневих станів розташована в верхній половині забороненої зони кремнію, а донорних поверхневих станів - у нижній. Враховувалось також, що біля середини забороненої зони знаходиться дискретний поверхневий рівень. Показано, що у випадку, коли інтегральна концентрація неперервно розподілених центрів порівняна з концентрацією глибокого поверхневого рівня, вони впливають на характеристики кремнієвих СЕ лише завдяки рекомбінації. У другому випадку, коли їх концентрація порядку більша за концентрацію, яка характеризує вбудований у діелектрику заряд, вони безпосередньо впливають на величину поверхневого вигину зон і значення фотоерс. В результаті комп'ютерного моделювання встановлено умови, за яких швидкість рекомбінації через неперервно розподілені поверхневі центри є більшою за швидкість рекомбінації через глибокий дискретний рівень. Розраховано зменшення напруги розімкненого кола в кремнієвих інверсійних СЕ, пов'язане з рекомбінацією через неперервно розподілені центри. Розвинену теорію порівняно з експериментом.

  Повний текст PDF - 244.71 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"