Rudenko R. M. 
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin / R. M. Rudenko, M. M. Kras’ko, V. V. Voitovych, A. G. Kolosyuk, V. Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuck, V. Ya. Bratus’, M. V. Voitovych, I. A. Zaloilo // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 12. - С. 1165-1170. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_12_10
  Повний текст PDF - 304.365 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Rudenko R.
  • Kras’ko M.
  • Voitovych V.
  • Kolosyuk A.
  • Povarchuk V.
  • Kraichynskyi A.
  • Yukhymchuck V.
  • Bratus’ V.
  • Voitovych M.
  • Zaloilo I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Rudenko R. M. Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin / R. M. Rudenko, M. M. Kras’ko, V. V. Voitovych, A. G. Kolosyuk, V. Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuck, V. Ya. Bratus’, M. V. Voitovych, I. A. Zaloilo // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 12. - С. 1165-1170. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_12_10.
    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Войтович Марія Володимирівна (фізико-математичні науки)
    •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського