Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Kozynets’, O. V.; Litvinenko, S. V.


	Наукова періодика України		Ukrainian journal of physics

Kozynets’ O. V.
Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts / O. V. Kozynets’, S. V. Litvinenko // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 12. - С. 1234-1238. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_12_8

Повний текст PDF - 312.426 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Kozynets’ O.

Litvinenko S.

Бібліографічний опис для цитування:

Kozynets’ O. V. Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts / O. V. Kozynets’, S. V. Litvinenko // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 12. - С. 1234-1238. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_12_8.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача