Виявлено, що тонкі шари аморфного та полікристалічного Sі (відповідно a-Sі та poly-Sі), нанесені на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фотоерс, відтворюваній у шарі Ge0,25Si0,75, нанесеному на підкладку кристалічного Si. У той самий час, при достатній глибині проникнення світла, що включає обидва нанесені шари та приповерхневу область підкладки Si, у проміжки часу, більші за <$E symbol Ы~10~-~20> мкс після закінчення світлового імпульсу, спостерігається фотоерс позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Sі в гетероструктурі a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фотоерс (в 6 разів у експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементів на основі гетероструктури a-Si/GexSі1-x/c-Si.Виявлено, що тонкі шари аморфного та полікристалічного Sі (відповідно a-Sі та poly-Sі), нанесені на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фотоерс, відтворюваній у шарі Ge0,25Si0,75, нанесеному на підкладку кристалічного Si. У той самий час, при достатній глибині проникнення світла, що включає обидва нанесені шари та приповерхневу область підкладки Si, у проміжки часу, більші за <$E symbol Ы~10~-~20> мкс після закінчення світлового імпульсу, спостерігається фотоерс позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Sі в гетероструктурі a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фотоерс (в 6 разів у експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементів на основі гетероструктури a-Si/GexSі1-x/c-Si.

  Повний текст PDF - 955.028 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"