Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Strikha M. V. Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors' review) / M. V. Strikha, A. I. Kurchak, A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 48-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_8 Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянуто аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Проаналізовано аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n-переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуто випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорено вплив розмірних ефектів у таких системах і можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Strikha M. V. Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors' review) / M. V. Strikha, A. I. Kurchak, A. N. Morozovska // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 48-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |