Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянуто аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Проаналізовано аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n-переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуто випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорено вплив розмірних ефектів у таких системах і можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки.

  Повний текст PDF - 2.226 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"