Наукова періодика України Український фізичний журнал

Trubaieva O. G. 
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_6
Об'ємні кристали ZnSxSe1-x було вирощено за методом Бриджмена - Стокбаргера. Прозорість зразків ZnSxSe1-x становила від 67 до 56 % на <$Elambda~=~1100> нм (товщина зразка 4 мм), що вказує на високу оптичну якість кристалів. Оптичні експерименти показали відсутність нових станів з включенням сірки, заборонена зона безперервно рухається зі складом. Оптична ширина забороненої зони ZnSxSe1-x кристала варіювалася від 2,59 до 2,78 еВ для прямих переходів і від 2,49 до 2,70 еВ для непрямих переходів.
  Повний текст PDF - 705.409 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Trubaieva O.
  • Lalayants A.
  • Chaika M.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Trubaieva O. G. Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_6.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського