Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Trubaieva O. G. Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_6 Об'ємні кристали ZnS Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Trubaieva O. G. Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content / O. G. Trubaieva, A. I. Lalayants, M. A. Chaika // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |