Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу

Красько, M. M.; Колосюк, А. Г.; Войтович, В. В.; Поварчук, В. Ю.; Рогуцький, І. С.


	Наукова періодика України		Український фізичний журнал

Красько M. M.
Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу / M. M. Красько, А. Г. Колосюк, В. В. Войтович, В. Ю. Поварчук, І. С. Рогуцький // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 12. - С. 1095-1104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_12_9

Повний текст PDF - 1.163 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Красько M. M. Вплив дефектів дивакансія-кисень на рекомбінаційні властивості n-Si після опромінення та наступного відпалу / M. M. Красько, А. Г. Колосюк, В. В. Войтович, В. Ю. Поварчук, І. С. Рогуцький // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 12. - С. 1095-1104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_12_9.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Колосюк Андрій Григорович (1982–) (фізико-математичні науки)

Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)

Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача