Детально досліджено зміну рекомбінаційних властивостей опроміненого <$Egamma>-квантами <$Enothing sup 60 roman Co> 1 МеВ електронами кремнію n-типу провідності з концентрацією вільних електронів <$En sub 0> ~ <$E10 sup 14 ~-~10 sup 16> см<^>-3, вирощеного за методом Чохральського (Cz n-Si), після ізохронного відпалу в температурному діапазоні <$E180~-~380~symbol Р roman C>, в якому відбувається утворення та відпал комплексів дивакансія-кисень (V2O). Виявлено, що час життя нерівноважних носіїв заряду (<$Etau>) суттєво зменшується після відпалу в діапазоні ~<$E180~-~280~symbol Р roman C> і цей ефект є сильнішим у низькоомному n-Si. Показано, що зміна <$Etau> після відпалу в діапазоні <$E180~-~380~symbol Р roman C> зумовлена дефектом дивакансійної природи, найімовірніше V2O. Було визначено, аналізуючи експериментальні дані за допомогою статистики Шоклі - Ріда - Холла, що утворення V2O характеризується енергією активації <$EE sub a ~=~1,25~symbol С~0,05> еВ і частотним фактором <$Ec sub 0 ~=~(1~symbol С~0,5)~cdot~10 sup 9> с<^>-1, а їх відпал - енергією активації <$EE sub a sup ann ~=~1,54~symbol С~0,09> еВ і частотним фактором <$Ec sub 0 sup ann ~=~(2,1~symbol С~1,4)~cdot~10 sup 10> с<^>-1. Також одержано значення поперечного перерізу захоплення дірок (<$Esigma sub p>) одно- і двозарядними акцепторними станами <$EV sub 2 O:~(5~symbol С~2)~cdot~10 sup -13> і <$E(8~symbol С~4)~cdot~10 sup -12> см<^>2 відповідно.

  Повний текст PDF - 1.163 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"