За допомогою методів фотоелектронної (<$E h nu~=~2,3~-~10,2> еВ) та оже-електронної спектроскопій досліджено зміни електронних та емісійних властивостей фотокатода на базі багатошарової структури окиснених атомів Gd (імовірно Gd2O3) на підкладці з Si(100) після напилення на його поверхню додаткових шарів атомів Gd і бомбардування іонами Ar. Встановлено, що зміни властивостей фотокатода залежать від дефектності його приповерхневого шару і зумовлені зміною концентрації локалізованих електронних станів, розташованих у забороненій зоні Gd2O3. Показано, що бомбардування іонами Ar та експозиція в атомарному водні катода Si - Gd - O може використовуватись для керування його спектральними та емісійними характеристиками. Підтверджено можливість використання запропонованої енергетичної схеми фотокатода для якісного аналізу його властивостей.

  Повний текст PDF - 1.392 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"