Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Rasheed H. S. New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane / H. S. Rasheed, M. Ahmed Naser, M. Z. Matjafri // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 8. - С. 695-700. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_8_10 ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) багатошарові структури різної товщини утворені РЧ і ПТ-магнетронним розпиленням і потім використані як широкий затвор у польовому транзисторі для вимірювання pH. Досліджено їх структуру, оптичні та електричні властивості. Товщина структур впливає на pH-чутливість, яка росте від 0,25 до 0,3 мкА<^>1/2 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Rasheed H. S. New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane / H. S. Rasheed, M. Ahmed Naser, M. Z. Matjafri // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 8. - С. 695-700. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_8_10. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |