Наукова періодика України Український фізичний журнал


Rasheed H. S. 
New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane / H. S. Rasheed, M. Ahmed Naser, M. Z. Matjafri // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 8. - С. 695-700. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_8_10
ZnO/Au/ZnO (ZAuZ) багатошарові структури різної товщини утворені РЧ і ПТ-магнетронним розпиленням і потім використані як широкий затвор у польовому транзисторі для вимірювання pH. Досліджено їх структуру, оптичні та електричні властивості. Товщина структур впливає на pH-чутливість, яка росте від 0,25 до 0,3 мкА<^>1/2/pH в області насичення і від 50 до 66,66 мВ/pH на лінійній ділянці на відміну від випадку з гістерезисом, коли чутливість зменшується від 10,11 до 9,87 мВ, якщо товщина зростає від (100/50/100) до (200/100/200) нм.
  Повний текст PDF - 1.084 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Rasheed H.
  • Ahmed Naser M.
  • Matjafri M.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Rasheed H. S. New ZnO/Au/ZnO multilayer field effect transistor with extended gate as a sensing membrane / H. S. Rasheed, M. Ahmed Naser, M. Z. Matjafri // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 8. - С. 695-700. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_8_10.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського