Обгрунтовано можливість використання кремнієвого переходу для ефективних сенсорних структур. Показано, що за умов опромінення світлом з області сильного поглинання фотострум суттєво залежить від рекомбінаційних характеристик і зарядового стану поверхні у випадку оптимальних параметрів переходу. Визначено, що товщина освітлюваної області для такої структури повинна перевищувати довжину дифузії неосновних носіїв заряду. Визначено також, що більшій довжині дифузії відповідають більші зміни фотоструму за адсорбції на робочій поверхні. З використанням числового моделювання проаналізовано можливість зміни області застосування переходу від фотоперетворювача до сенсорної структури за певного вибору його параметрів. Обговорено фізичні механізми, які можуть пов'язувати зміни ефективної швидкості з процесами адсорбції полярних молекул. Сенсорні властивості запропонованих структур досліджено для декількох аналітів. Експериментально продемонстровано придатність такої структури для створення хімічних сенсорів, які мають функцію селективності та підтримують концепцію електронного носу.

  Повний текст PDF - 806.823 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"