Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Tursunov I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_12_6 Запропоновано методи деформації для дослідження параметрів глибокого рівня в напівпровідниках. Він базується на вимірах параметрів деформації компенсованих і надкомпенсованих напівпровідників. Досліджено динамічні зміни струму в компенсованих та надкомпенсованих зразках p-типу Si: Ni та n-типу Si: Mn за однорідного імпульсного гідростатичного стискування (ОГС). Встановлено, що в p-типу Si: Ni зразках енергія іонізації Ni за ОГС збільшується. Навпаки, вона зменшується в зразках n-типу Si: Mn. Енергія іонізації та баричний коефіцієнт зсуву рівнів Ni і Mn були обмеженими. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Tursunov I. G. Investigations of the deep-level parameters in semiconductors / I. G. Tursunov // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 12. - С. 1034-1036. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_12_6. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |