У межах самоузгодженої електрон-деформаційної моделі розраховано глибину потенціальної ями для електрона в наногетеросистемі з квантовими точками (КТ). Показано, що в напруженій наногетеросистемі InAs/GaAs із сферичними КТ InAs існують деформаційні поля, які виникають на межі розподілу КТ - матриця, що призводять до підсилення поляронних ефектів у порівнянні з недеформованими матеріалами. Розраховано енергію електронного полярона з урахуванням внесків електростатичної енергії та енергії, зумовленої як механічною, так і електрон-деформаційною складовими деформацій матеріалів КТ та матриці.

  Повний текст PDF - 590.978 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"