Оліх Я. М. Особливості протікання струму при ультразвуковому навантаженні в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 5. - С. 389-399. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_5_4
З метою вияснення механізму впливу ультразвуку (УЗ) на електропровідність <$Esigma~(T)> у низькоомних монокристалах n-типу CdTe:Cl (<$EN sub { roman Cl}~symbol Ы~10 sup 24> м<^>-3) проведено температурні (77 - 300 К) дослідження ефекту Холла та кінетики релаксації <$Esigma~(t)> у разі ввімкнення та вимкнення УЗ (fUS ~ 10 МГц, WUS ~ 10<^>4 Вт/м<^>2). Вперше виявлено динамічний (повністю зворотний) вплив УЗ, який різниться для низькотемпературної області (HT, T << 180 К) і високотемпературної (ВТ, T >> 200 К). У ВТ області акустостимульовані (АС) зміни незначні, дещо падає рухливість, довготривалі <$Esigma~(t)> не проявляються. В HT області відносні АС зміни зростають, збільшується тривалість релаксаційних процесів <$Esigma~(t)>, які проявляють двостадійний характер. Для пояснення використано модель неоднорідного напівпровідника, що містить кластери домішкових дефектів в околі дислокацій. Запропоновано механізм, який пов'язує "миттєві" зростання <$Esigma~(t)> з АС зменшенням амплітуди флуктуацій крупномасштабного потенціалу в результаті збільшення ефективного електронного радіуса дислокаційних домішкових кластерів; довготривалі температурно-залежні релаксації (50 - 500 с) визначаються дифузійною перебудовою точково-дефектної структури в середині кластера, включаючи перебудову заряджених акцепторних комплексів <$E[(V sub { roman Cd} sup 2- Cl sub { roman Te} sup + ) sup - ]> в нейтральні - <$E[(V sub { roman Cd} sup 2- 2Cl sub { roman Te} sup + ) sup 0 ]>. Цитованість авторів публікації:Оліх Я.Тимочко М.
Бібліографічний опис для цитування: Оліх Я. М. Особливості протікання струму при ультразвуковому навантаженні в сильно компенсованих низькоомних кристалах CdTe:Cl / Я. М. Оліх, М. Д. Тимочко // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 5. - С. 389-399. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_5_4. Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)Оліх Ярослав Михайлович (фізико-математичні науки)Тимочко Микола Дмитрович (фізико-математичні науки)
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|