Розглянуто оптичні та електрофізичні властивості гетероструктур 95 % In2O3 + 5 % SnO2/ns-Si з товщиною плівок 6 і 12 нм, нанесені за допомогою методу магнетронного розпилення на структуровану поверхню кремнію. Показано, що для плівки товщиною 6 нм характерна наявність декількох піків оптичного поглинання, тоді як у структурі з товщиною 12 нм в тому ж спектральному діапазоні ці максимуми відсутні. Визначено вплив газового середовища та оптичного випромінювання на електрофізичні властивості структур 95 % In2O3 + 5 % SnO2/ns-Si та показано, що відгук досліджуваних структур на газове середовище пов'язаний з діелектричною проникністю адсорбату. Результати даного дослідження можна застосовувати під час розробки резистивних газових сенсорів на основі плівок 95 % In2O3 + 5 % SnO2/ns-Si.

  Повний текст PDF - 853.697 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"