Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс <$E alpha> і питомої електропровідності <$E sigma>) легованого вісмутом плюмбум телуриду. Встановлено наявність текстури у досліджуваних матеріалах, ідентифіковано фазу Pb1-xBix, присутню у всіх легованих зразках незалежно від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості (0,1 - 0,3) ат. % сприяє зростанню термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> PbTe внаслідок збільшення як питомої електропровідності <$E sigma>, так і коефіцієнта термоерс <$E alpha> у порівнянні з нелегованим матеріалом.Проведено рентгенографічні дослідження та вимірювання коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) і питомої електропровідності (<$E sigma>), легованого вісмутом станум телуриду у діапазоні концентрацій (0 - 2,0) ат. % Bi. Встановлено немонотонні залежності параметра елементарної комірки та електрофізичних параметрів від вмісту домішки. Показано, що введення вісмуту в кількості 1,0 ат. % сприяє зростанню в інтервалі температур T >> 500 K термоелектричної потужності <$E alpha sup 2 sigma> SnTe внаслідок збільшення коефіцієнта термоерс (<$E alpha>) у порівнянні з нелегованим матеріалом.

  Повний текст PDF - 634.108 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"