У наближенні ефективних мас і прямокутних потенціальних ям і бар'єрів для електрона, з використанням знайдених розв'язків повного рівняння Шредінгера, розвинено теорію активної динамічної провідності трибар'єрної резонансно-тунельної структури (РТС) з прикладеним постійним поздовжнім електричним полем у слабкому електромагнітному полі з урахуванням внеску лазерних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що для лазерних електронних переходів величина внеску двофотонних переходів у формування загальної величини активної динамічної провідності в лазерних переходах не більша за 38 %. Встановлено геометричні конфігурації РТС, для яких за рахунок двофотонних лазерних електронних переходів одержується зростання інтенсивності лазерного випромінювання.

  Повний текст PDF - 697.973 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"