Досліджено процеси кристалізації аморфного кремнію (a-Si) в субоксидній матриці a-SiOxSn. Показано, що температура, за якої починається процес кристалізації, є тим нижчою, чим більше олова міститься в a-SiOxSn плівках. Для зразків з максимум олова (2 % до об'єму SiOx) кристалізація починається за температури 500 <^>oC, для зразків із середнім значенням олова (1 %) температура кристалізації становить 800 <^>oC і для зразків з мінімум олова (0,5 %), процес кристалізації a-Si починається за 1000 <^>oC. З іншого боку, показано, що олово не впливає на процеси розділення фаз a-Si і SiO2 у досліджуваних зразках у процесі відпалів. З розрахунків встановлено, що у a-SiOxSn плівках із високим вмістом олова (1 і 2 %) у процесі кристалізації a-Si формуються кристаліти кремнію значно менших розмірів (d = 5 - 7 нм) у порівнянні з нелегованими оловом зразками (d >= 10 нм). Запропоновано метало-індукований механізм кристалізації (МІМК) a-Si, який передбачає наявність металічних кластерів олова в SiOx, які створюють умови для більш раннього переходу аморфної фази кремнію в кристалічну. Враховуючи експериментальні дані, припускається, що у цьому випадку необхідною умовою для початку кристалізації a-Si є наявність металічних скупчень олова в SiOx, і має місце МІМК.

  Повний текст PDF - 958.28 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"