Використовуючи розширений метод Хюккеля та методи, що базуються на використанні термохімічних, термодинамічних та електрофізичних даних, визначено енергії утворення вакансій металу та халькогену у напівпровідникових кристалах A<^>IIB<^>VI, A<^>IIIB<^>V та A<^>IVB<^>VI. Встановлено кореляцію одержаних значень як між собою, так і з літературними експериментальними та теоретичними ab initio даними, що свідчить про їх адекватність і можливість використання для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках.

  Повний текст PDF - 616.853 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"