| Наукова періодика України |
| Український фізичний журнал |
Пагава Т. А. Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si / Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе, Д. З. Хочолава // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 6. - С. 522-529. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_6_7 Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов <$EN~=~6~times~10 sup 13 ~roman см sup -3> облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Пагава Т. А. Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si / Т. А. Пагава, Л. С. Чхартишвили, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе, Д. З. Хочолава // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 6. - С. 522-529. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_6_7. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
