У наближенні діелектричного континууму за допомогою методу функцій Гріна досліджено залежність енергії переходу в основний екситонний стан квазідвовимірної плоскої напівпровідникової наногетероструктури з одиночною квантовою ямою - наноплівки від її товщини, температури та складу бар'єрного середовища. Конкретний розрахунок здійснено на прикладі наноплівки з прямокутною, скінченної глибини, квантовою ямою, створеною подвійним гетеропереходом GaAs/AlxGa1-xAs. Показано, що в плівках товщиною до 30 - 40 нм величина енергії переходу визначається переважно впливом просторового обмеження та концентрацією алюмінію x - стрімко зменшується у разі зростання товщини від 1,55 (за x = 0,2), 1,62 (за x = 0,3) і 1,69 (за x = 0,4) еВ до 1,41 еВ для усіх наведених значень x. Подальше збільшення товщини плівки приблизно до 100 нм супроводжується повільним зростанням енергії переходу до значення, характерного для масивного GaAs, переважно внаслідок зменшення енергії зв'язку екситону; швидкість цього зростання слабко залежить від x. Збільшення температури від 0 до 300 К викликає довгохвильове зміщення дна екситонної зони, що зумовлює зменшення енергії переходу на слабко залежну від товщини плівки величину, яка становить приблизно 2 меВ за x = 0,2 та 3 меВ за x = 0,4. Причиною температурних змін є взаємодія з фононами, переважно обмеженими у наноплівках товщиною понад 30 - 40 нм, залежно від x, та інтерфейсними - у тонших.

  Повний текст PDF - 1.331 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"