Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Кондрюк Д. В. Залежність енергії екситонних переходів у наноплівках AlxGa1–xAs/GaAs/ AlxGa1–xAs від товщини, концентрації та температури / Д. В. Кондрюк, В. М. Крамар // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 5. - С. 460-469. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_5_12 У наближенні діелектричного континууму за допомогою методу функцій Гріна досліджено залежність енергії переходу в основний екситонний стан квазідвовимірної плоскої напівпровідникової наногетероструктури з одиночною квантовою ямою - наноплівки від її товщини, температури та складу бар'єрного середовища. Конкретний розрахунок здійснено на прикладі наноплівки з прямокутною, скінченної глибини, квантовою ямою, створеною подвійним гетеропереходом GaAs/Al Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Кондрюк Д. В. Залежність енергії екситонних переходів у наноплівках AlxGa1–xAs/GaAs/ AlxGa1–xAs від товщини, концентрації та температури / Д. В. Кондрюк, В. М. Крамар // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 5. - С. 460-469. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_5_12.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |