Реконструкція Si(001)-c(<$E 8~times~8>), що спостерігається в деяких випадках, є унікальним наноструктурованим станом поверхні Si(001). Він був одержаний внаслідок внесення домішок Cu в концентраціях нижче межі чутливості електронної спектроскопії. Детальні СТМ зображення демонструють, що в стані с(<$E 8~times~8>) поверхня не є атомарно гладкою, натомість складається із основних елементів, які належать двом послідовним атомним шарам. Цими елементами є епітаксійні аддимери Si в першому (поверхневому) шарі та подвійні димерні вакансії в другому (приповерхневому) шарі кремнієвого субстрату.

  Повний текст PDF - 766.92 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"