За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(100) під час створення на ній багатошарової структури окиснених атомів Gd. Показано, що внаслідок ряду циклів адсорбції атомів Gd та атомарного кисню за кімнатної температури на поверхню Si(100)-<$E 2~times~1> та відпалу одержаної структури при 600 <$E symbol Р>С робота виходу поверхні зменшується від 4,8 еВ до значень, менших від 1 еВ. Встановлено, що зменшення роботи виходу зі збільшенням циклів обробки супроводжується окисленням атомів Gd та Si і поступовим зменшенням концентрації Si в приповерхневій області. Одержані результати пояснюються утворенням на поверхні дипольного шару O - Gd.

  Повний текст PDF - 987.494 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"