Наведено результати комп'ютерного моделювання динаміки заряджених згустків у кільватерному полі в однорідній та неоднорідній плазмі. Моделювання за допомогою методу крупних частинок у комірках виконано для електронних і протонних згустків в електронно-протонній плазмі. Результати моделювання порівняно з аналітичними розрахунками. Показано, що для іонних згустків зворотним впливом збуджених ними кільватерних полів можна знехтувати на відстанях у декілька десятків довжин кільватерних хвиль, тому механізм збудження таких полів пов'язаний лише з фронтами згустку. Для електронних згустків помітна деформація профілю густини заряду відбувається вже на відстані порядку довжини кільватерної хвилі. В цьому випадку за рахунок розбиття первісного згустку на мікрозгустки з'являються додаткові механізми збудження кільватерних полів: черенковський (для довгих згустків) і пов'язаний із фокусуванням мікрозгустків.

  Повний текст PDF - 1.117 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"