За допомогою методу комбінованої поверхневої спектроскопії фотоерс Vsc(lambda) досліджено фундаментальні рекомбінаційні параметри фоточутливого сонячного кремнієвого матеріалу. Запропонований метод проаналізовано на прикладі 4-х типових кремнієвих структур: пластини промислового фоточутливого кремнію з хімічно травленою (реальною) поверхнею; структури з імплантованою рекомбінаційно-активною домішкою (Fe<^>+); структури SiO2 - Si з фронтальним інверсним каналом; структури з дифузійним p - n-переходом. Проведено порівняння з формулами для різних актуальних випадків, а саме для спектрів прямих і зворотних фотоерс Vsc, 1/Vsc в координатах прямого та оберненого коефіцієнта поглинання k і 1/k. Розраховано наступні рекомбінаційні характеристики сонячного кремнію: швидкості поверхневої та об'ємної рекомбінацій S та Vv; координаційна залежність приповерхневих рекомбінаційно-активних домішок і структурних технологічних домішок і дефектів в області приповерхневого просторового заряду.

  Повний текст PDF - 766.505 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"