Вивчено "top - down" процес одержання наноструктурованого шару на поверхні напівпровідникового матеріалу за допомогою методу іонної імплантації. У результаті опромінення гетероструктур p-CdxHg1-xTe (x = 0,223)/CdZnTe іонами срібла з енергією 100 еВ на поверхні зразків відбувається утворення масиву наноструктур. Зменшення кута падіння іонного пучка до 40^o призводить до того, що наноструктурування набуває впорядкованого характеру. У цьому випадку наслідком стабілізації активованого імплантацією стану системи є утворення поліфункціональної системи оксид металу - напівпровідник Ag2O - p-CdxHg1-xTe (x = 0,2), що є розмірно-залежним відгуком на опромінення ковзним опроміненням та, що надає можливість сумістити функціональні властивості оксиду Ag2O (Eg = 1,41 еВ) і напівпровідника CdHgTe (Eg = 0,123 еВ), як основи для створення оптичних перетворювачів і масивів із НВЧ граток.

  Повний текст PDF - 1.104 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"