Досліджено домінуючі механізми розсіювання носіїв заряду в монокристалах <$E p>-PbSe за температур 4,2 - 300 K у концентраційному інтервалі <$E 10 sup 16~-~10 sup 20~roman см sup -3>. Показано, що узгодження теоретичних та експериментальних результатів існує у разі комплексного врахування розсіювання носіїв як на фононах та іонізованих вакансіях. В області низьких концентрацій за температур 77 і 300 K переважає розсіювання на оптичних полярних фононах, а в області високих концентрацій за температури 300 K - на деформаційному потенціалі оптичних фононів і короткодіючому потенціалі вакансій.Досліджено вплив легування домішками III групи Періодичної таблиці елементів на механізми розсіювання носіїв заряду у кристалах халькогенідів свинцю. Визначено концентраційні та температурні межі домінування розсіювання носіїв на іонізованій донорній домішці індію та акцепторній домішці талію. Аналіз здійснено на основі базових принципів варіаційного підходу у розв'язанні рівняння Больцмана та кейнівського закону дисперсії.На основі результатів рентгенографічних досліджень та вимірювання термоелектричних параметрів (коефіцієнта термоерс <$E alpha> та питомої електропровідності <$E sigma>) легованого сурмою плюмбум телуриду, встановлено механізми входження домішкових атомів у кристалічну гратку матриці та їх вплив на рухливість носіїв заряду. Показано, що введення домішки в кількості до 0,3 ат.% сприяє зростанню рухливості електронів внаслідок заповнення вакансій телуру, які є активними розсіюючими центрами, іонами стибію, вплив яких на рухливість є меншим.

  Повний текст PDF - 673.498 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"