Наукова періодика України | Український фізичний журнал | ||
Vainberg V. V. Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_7_11 Приведено та проаналізовано результати дослідження електричного на магнітного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами і домішковими дельташарами в прилеглих бар'єрах. Додатний магнітоопір і вигляд залежності рухливості носіїв від концентрації домішки в дельта шарах, за низьких температур (Т << 20 К), пов'язуються з транспортом носіїв по двох паралельних каналах з різною рухливістю носіїв: структурним і утвореними дельта-шарами домішки квантовим ямам. Нелінійна залежність струму від величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподілом носіїв між цими каналами. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vainberg V. V. Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_7_11. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |