Теоретично й експериментально досліджено вплив анізотропних механізмів розсіяння на поляризаційні залежності терагерцового випромінювання гарячих електронів у багатодолинних напівпровідниках типу n-Ge. Увагу приділено ситуації, коли прикладене до багатодолинного напівпровідника електричне поле спрямовлено у напрямку, несиметричному відносно долин. Показано, що заміна анізотропного механізму розсіяння електронів іонізованими домішками на анізотропний механізм розсіяння їх акустичними фононами призводить до заміни максимумів на мінімуми на періодичній поляризаційній кутовій залежності інтенсивності випромінювання гарячих електронів. Заміна одного домінуючого механізму розсіяння іншим може бути зумовлена низкою причин: зміною температури гратки або концентрації іонізованих домішок, зміною величини або орієнтації розігріваючого електрони поля, прикладенням односпрямованого тиску або підсвіткою зразка. Показано, що всі ці причини впливають на поляризаційні залежності спонтанного випромінювання гарячих електронів у випадку, коли температури електронів різні в різних долинах.

  Повний текст PDF - 738.994 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"