Графен має унікальну двовимірну структуру, з великою площею поверхні і значною хімічною стабільністю. Окис графену, одержаний за допомогою методу Хаммерса, відновлено до графену з застосуванням імпульсного лазерного напилення. Досліджено зразки графену у вигляді порошку і багатошарової структури. Виконано рентгеноструктурний аналіз графену для з'ясування наявності ближнього порядку і визначення числа шарів. Природа ближнього порядку знайдена з застосуванням методів дифракції електронів і просвічувальної електронної мікроскопії. Залежність коефіцієнта Зеєбека від температури свідчить про зміну типу носіїв з n- на p-тип, починаючи з <$E60~symbol Р roman C>. Вивчено залежність цієї зміни від частоти, напруги та температури. Виявлені осциляції залежності коефіцієнта Зеєбека від товщини відповідають ефекту розмірного квантування в шарах графену. Виміряно і розраховано такі транспортні властивості графену, як швидкість, рухливість і електрична провідність.

  Повний текст PDF - 609.293 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"