За допомогою аналізу змін розмірів елементарних комірок, яке відбувається внаслідок утворення на їх поверхнях димерів або адсорбції атомів і молекул, якісно розглянуто пружні напруження чистої поверхні GexSi1-x/Si(001) та на початкових етапах її окиснення. Вони мають майже однаковий характер, як для чистої поверхні GexSi1-x/Si(001), так і після адсорбції на неї молекул О2 або 1-го, 2-х та 3-х атомів O. Напруження виявились анізотропними: вздовж димерних рядів вони були стискаючими та приблизно у 3 рази більшими від розтягуючих напружень у напрямку, перпендикулярному до димерних рядів (вздовж димерного зв'язку).

  Повний текст PDF - 1.004 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"